企业简介
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南亚科技股份有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 1048450 |  |
恒讯 | 显示器，液晶显示器，光罩，半导体，矽晶体，积体电路，电子电路，半导体元件，微处理晶片，浮点运算晶片，超大型积体电路，矽晶棒，矽晶圆，晶圆半导体 | 查看详情 | |
| 2 | 6300933 |  |
ELIXIR | 2007-09-28 | 接受委托设计或测试晶片、晶圆、半导体、积体电路之服务；半导体、电子工业设备及应用加工设备之配套工程规划、设计；为半导体晶片处理设备和积体电路设计元件；电脑咨询顾问服务及电脑资料处理；提供有关电子交易活动及网路上商业活动之执行、整合、处理、维护之电脑技术协助；提供所有有关电子商业活动服务之电脑服务及电脑网站设计；透过全球电脑资讯网路提供各种资讯；技术项目研究；晶片设计与开发(替他人)；存储器(可移动闪存媒体)设计；晶片及其元件的测试服务；晶片的外包装设计 | 查看详情 |
| 3 | 6300934 |  |
ELIXIR | 2007-09-28 | 半导体制造及加工技术书籍;手册;简讯;月刊; | 查看详情 |
| 4 | 3411988 |  |
NANYA | 2002-12-20 | 推销(替他人)半导体；推销(替他人)晶圆；推销(替他人)集成电路；商业行情代理；商业信息代理；推销(替他人)半导体处理设备；通过因特网的汉卡商品推销(替他人)；通过因特网的晶片商品推销(替他人)；通过因特网的荫罩商品推销(替他人)；通过因特网的光罩商品推销(替他人)；通过因特网的网路卡商品推销(替他人)；通过因特网的电路板商品推销(替他人)；通过因特网的半导体商品推销(替他人)；通过因特网的介面卡商品推销(替他人)；通过因特网的微电脑商品推销(替他人)；通过因特网的集成电路商品推销(替他人)；通过因特网的印刷电路板商品推销(替他人)；通过因特网的印刷电路板基板商品推销(替他人)；通过因特网的集成电路脚座商品推销(替他人)；通过因特网的商品推销(替他人)；通过因特网的电脑及其周边设备零件商品推销(替他人) | 查看详情 |
| 5 | 4210947 |  |
易胜 | 2004-08-09 | 半导体；单晶硅；多晶硅；硅外延片；晶体管(电子)；集成电路；集成电路块；半导体器件；晶片(锗片)；显示器；液晶显示器；电脑；集成电路测试器；电子电路；信息处理机(中央处理装置)；计算器存储器；可视电话；微处理机 | 查看详情 |
| 6 | 1239025 |  |
图形 | 显示器（电子），液晶显示器，光罩，半导体，矽晶体，积体电路，电子元件，半导体元件，微处理晶片，浮点运算晶片，超大型积体电路，矽晶棒，矽晶圆，晶圆半导体 | 查看详情 | |
| 7 | 6300927 |  |
ELIXIR | 2007-09-28 | 推销(替他人)；进出口代理；半导体、晶圆、集成电路的推销(替他人)；半导体处理设备的推销(替他人)；商业讯息代理；商业信息；透过互联网方式推销汉卡、晶片、荫罩、光罩、网路卡、电路板、半导体、介面卡、微电脑、积体电路、印刷电路板、印刷电路基板、积体电路脚座(替他人)；透过互联网方式推销电脑及其周边设备零件(替他人) | 查看详情 |
| 8 | 6300928 |  |
ELIXIR | 2007-09-28 | 受客户委托依其指示之规格制造晶圆、晶片、半导体、积体电路产品之服务；晶圆、晶片、半导体、积体电路之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械研磨之加工处理；依他人委托作晶圆、晶片、半导体、积体电路之装配或封装加工；依他人委托作晶圆、晶片、半导体、积体电路之切割加工；为他人组配积体电路、光罩及电子或电脑晶片；光罩装配封装(替他人) | 查看详情 |
| 9 | 6300926 |  |
ELIXIR | 2007-09-28 | 半导体制造及加工技术书籍；手册；简讯；月刊 | 查看详情 |
| 10 | 6288039 |  |
南亚易胜 | 2007-09-21 | 半导体；矽晶体；积体电路；电子电路；半导体元件；微处理晶片；浮点运算晶片；超大型积体电路；矽晶棒；矽晶圆；光罩；显示器；液晶显示器；电脑；积体电路测试器；视讯会议装置；中央处理器；晶圆；存储器 | 查看详情 |
| 11 | 6288041 |  |
南亚易胜 | 2007-09-21 | 半导体；矽晶体；积体电路；电子电路；半导体元件；微处理晶片；浮点运算晶片；超大型积体电路；矽晶棒；矽晶圆；光罩；显示器；液晶显示器；电脑；积体电路测试器；视讯会议装置；中央处理器；晶圆；存储器 | 查看详情 |
| 12 | 6300929 |  |
ELIXIR | 2007-09-28 | 接受委托设计或测试晶片、晶圆、半导体、积体电路之服务；半导体、电子工业设备及应用加工设备之配套工程规划、设计；为半导体晶片处理设备和积体电路设计元件；电脑咨询顾问服务及电脑资料处理；提供有关电子交易活动及网路上商业活动之执行、整合、处理、维护之电脑技术协助；提供所有有关电子商业活动服务之电脑服务及电脑网站设计；透过全球电脑资讯网路提供各种资讯；技术项目研究；晶片设计与开发(替他人)；存储器(可移动闪存媒体)设计；晶片及其元件的测试服务；晶片的外包装设计 | 查看详情 |
| 13 | 3412022 |  |
图形 | 2002-12-20 | 晶圆之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械研磨加工(替他人)；晶片之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械研磨加工(替他人)；半导体之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械研磨加工(替他人)；集成电路之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械研磨加工(替他人)；晶圆之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械处理(替他人)；晶片之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械处理(替他人)；半导体之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械处理(替他人)；集成电路之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械处理(替他人)；晶圆装配(替他人)；晶片装配(替他人)；半导体装配(替他人)；集成电路装配(替他人)；晶圆封装加工(替他人)；晶片封装加工(替他人)；半导体封装加工(替他人)；集成电路封装加工(替他人)；光罩装配(替他人)；光罩封装加工(替他人)；电子或电脑装配(替他人) | 查看详情 |
| 14 | 6288042 |  |
南亚易胜 | 2007-09-21 | 推销(替他人)；进出口代理；半导体、晶圆、集成电路的推销(替他人)；半导体处理设备的推销(替他人)；商业讯息代理；商业信息；透过互联网方式推销汉卡、晶片、荫罩、光罩、网路卡、电路板、半导体、介面卡、微电脑、积体电路、印刷电路板、印刷电路基板、积体电路脚座(替他人)；透过互联网方式推销电脑及其周边设备零件(替他人) | 查看详情 |
| 15 | 6300932 |  |
ELIXIR | 2007-09-28 | 受客户委托依其指示之规格制造晶圆、晶片、半导体、积体电路产品之服务；晶圆、晶片、半导体、积体电路之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械研磨之加工处理；依他人委托作晶圆、晶片、半导体、积体电路之装配或封装加工；依他人委托作晶圆、晶片、半导体、积体电路之切割加工；为他人组配积体电路、光罩及电子或电脑晶片；光罩装配封装(替他人) | 查看详情 |
| 16 | 3011709 |  |
ELIXIR | 2001-11-05 | 半导体；单晶硅；多晶硅；硅外延片；晶体管(电子)；集成电路；集成电路块；半导体器件；晶片(锗片)；显示器；液晶显示器；电脑；集成电路测试器；电子电路；信息处理机(中央处理装置)；计算机存储器；可视电话；微处理机 | 查看详情 |
| 17 | 3411989 |  |
图形 | 2002-12-20 | 推销(替他人)半导体；推销(替他人)晶圆；推销(替他人)集成电路；商业行情代理；商业信息代理；推销(替他人)半导体处理设备；通过因特网的汉卡商品推销(替他人)；通过因特网的晶片商品推销(替他人)；通过因特网的荫罩商品推销(替他人)；通过因特网的光罩商品推销(替他人)；通过因特网的网路卡商品推销(替他人)；通过因特网的电路板商品推销(替他人)；通过因特网的半导体商品推销(替他人)；通过因特网的介面卡商品推销(替他人)；通过因特网的微电脑商品推销(替他人)；通过因特网的集成电路商品推销(替他人)；通过因特网的印刷电路板商品推销(替他人)；通过因特网的印刷电路板基板商品推销(替他人)；通过因特网的集成电路脚座商品推销(替他人)；通过因特网的商品推销(替他人)；通过因特网的电脑及其周边设备零件商品推销(替他人) | 查看详情 |
| 18 | 3411990 |  |
NANYA | 2002-12-20 | 晶圆之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械研磨加工(替他人)；晶片之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械研磨加工(替他人)；半导体之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械研磨加工(替他人)；集成电路之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械研磨加工(替他人)；晶圆之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械处理(替他人)；晶片之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械处理(替他人)；半导体之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械处理(替他人)；集成电路之微影、蚀刻、薄膜、扩散离子植入及化学机械处理(替他人)；晶圆装配(替他人)；晶片装配(替他人)；半导体装配(替他人)；集成电路装配(替他人)；晶圆封装加工(替他人)；晶片封装加工(替他人)；半导体封装加工(替他人)；集成电路封装加工(替他人)；光罩装配(替他人)；光罩封装加工(替他人)；电子或电脑装配(替他人) | 查看详情 |
| 19 | 6300930 |  |
ELIXIR | 2007-09-28 | 半导体；矽晶体；积体电路；电子电路；半导体元件；微处理晶片；浮点运算晶片；超大型积体电路；矽晶棒；矽晶圆；晶圆半导体；光罩；显示器；液晶显示器；电脑；积体电路测试器；视讯会议装置；中央处理器；记忆体 | 查看详情 |
| 20 | 6300931 |  |
ELIXIR | 2007-09-28 | 推销(替他人)；进出口代理；半导体、晶圆、集成电路的推销(替他人)；半导体处理设备的推销(替他人)；商业讯息代理；商业信息；透过互联网方式推销汉卡、晶片、荫罩、光罩、网路卡、电路板、半导体、介面卡、微电脑、积体电路、印刷电路板、印刷电路基板、积体电路脚座(替他人)；透过互联网方式推销电脑及其周边设备零件(替他人) | 查看详情 |
| 21 | 6288040 |  |
南亚易胜 | 2007-09-21 | 推销(替他人)；进出口代理；半导体、晶圆、集成电路的推销(替他人)；半导体处理设备的推销(替他人)；商业讯息代理；商业信息；透过互联网方式推销汉卡、晶片、荫罩、光罩、网路卡、电路板、半导体、介面卡、微电脑、积体电路、印刷电路板、印刷电路基板、积体电路脚座(替他人)；透过互联网方式推销电脑及其周边设备零件(替他人) | 查看详情 |
南亚科技股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW200814081 | 记忆体控制电路与方法 | 2008.03.16 | 本发明提供一种记忆体控制电路，其具有：一相位侦测模组，用来侦测一资料频闪讯号与一时脉讯号之间之相位差 |
| 2 | TW200407989 | 源极/汲极元件之制造方法 | 2004.05.16 | 本发明揭示一种源极／汲极元件之制造方法。首先，提供一形成有闸极结构之基底。接着，在闸极结构侧壁依序形 |
| 3 | TW396415 | 避免金属矽化物之尖峰效应的闸极结构制造方法 | 2000.07.01 | 一种避免金属矽化物之尖峰效应的闸极结构制造方法，首先形成一闸氧化层于矽基板上;接着沈积一层复晶矽，然 |
| 4 | TWI269407 | 记忆体单元制造方法及记忆体单元布局结构 | 2006.12.21 | 一种6F2记忆体单元制造方法。本发明之方法包含步骤有在一矽基底中形成沟槽电容器，沟槽电容器之沟槽上部 |
| 5 | TWI237849 | 利用多重曝光形成孤立线的方法 | 2005.08.11 | 利用多重曝光形成孤立线的方法，包括下列步骤，提供一半导体基底，于上述半导体基底形成一光阻层，以图案光 |
| 6 | TW423149 | 双镶嵌式冠状电容之制造方法 | 2001.02.21 | 一种双镶嵌式冠状电容之制造方法，适用于一具有掺杂区之半导体基板上，包括下列步骤：形成一第一绝缘层、一 |
| 7 | TW200421530 | 具有沟槽顶端绝缘层之半导体装置及其形成方法 | 2004.10.16 | 本发明揭示一种具有沟槽顶端绝缘层之半导体装置之形成方法。首先，提供具有至少一沟槽之基底，并在沟槽下半 |
| 8 | TW333684 | 半导体电容电极板之制造方法 | 1998.06.11 | 一种半导体电容电极板之制造方法，包括下列步骤：提供一基底；形成一导电层于基底表面；形成一胶黏层于此导 |
| 9 | TW339467 | 积体电路沟槽型电容器的制造方法 | 1998.09.01 | 本发明揭露了一种具有网状沟槽型堆叠式之高密度动态随机存取记忆体的制造方法(High Density |
| 10 | TW405214 | 一种接触窗或介层窗之清洁方法 | 2000.09.11 | 一种接触窗或介层窗之清洁方法:将接触窗或介层窗置入与清洁液可互溶之气体中，藉由扩散原理，此气体会充满 |
| 11 | TW469635 | 半导体记忆单元电晶体之制造方法 | 2001.12.21 | 本发明系有关一种半导体记忆单元电晶体的制造方法，主要步骤包括:于半导体基底的表层形成至少包含环状绝缘 |
| 12 | TW480676 | 快闪记忆体之记忆胞的制造方法 | 2002.03.21 | 一种快闪记忆体之记忆胞的制造方法，主要于半导体基底表面形成主动区，于主动区内依序形成导电层与缓冲层； |
| 13 | TW513759 | 快闪记忆体记忆胞之控制闸极与浮置闸极的制造方法 | 2002.12.11 | 一种快闪记忆体记忆胞之控制闸极与浮置闸极的制造方法，于半导体基底表面形成主动区，依序形成第一绝缘层、 |
| 14 | TW515007 | 利用间隔物形成密集图案之制造方法 | 2002.12.21 | 本发明揭示一种利用间隔物形成密集图案之制造方法，适用于线宽与线距相等之密集图案。首先，定义蚀刻一依序 |
| 15 | TW547761 | 研磨垫表面平坦度测定器 | 2003.08.11 | 一种研磨垫表面平坦度测定器，包括一探针，用以探测研磨垫的表面状况；一隔片，设于该探针之上；一感测器， |
| 16 | TWI223870 | 具有几何形状沟槽之沟槽型电容的制程 | 2004.11.11 | 本发明提供一种具有几何形状沟槽之沟槽型电容的制程，包括：提供一具有一垫层结构之基底；形成一第一硬罩幕 |
| 17 | TW200504843 | 具有堆叠闸极结构之半导体装置制造方法 | 2005.02.01 | 本发明揭示一种具有堆叠闸极结构之半导体装置制造方法。首先，在一基底上方形成一复晶矽层，且其藉由一介电 |
| 18 | TWI227930 | 制作瓶状深沟渠的方法 | 2005.02.11 | 本发明提供一种制作瓶状深沟渠的方法，包含先提供一表面设有衬垫层之基底，然后蚀刻该衬垫层以及该基底，形 |
| 19 | TW200509275 | 浅沟槽隔离区空隙检测方法及其结构 | 2005.03.01 | 揭示一种半导体晶圆之浅沟槽隔离区空隙检测方法。本发明之方法包括步骤有于晶圆之预定区域中指定一测试区域 |
| 20 | TW200511400 | 堆叠式电容器之下电极的制造方法 | 2005.03.16 | 一种堆叠式电容器之下电极的制造方法，此方法系于基底上形成介电层，再依序形成第一罩幕层与具有数个第一开 |
| 21 | TW200511515 | 沟渠电容动态随机存取记忆体的制作方法 | 2005.03.16 | 本发明系揭露一种沟渠电容的制作方法，主要系在第三次多晶矽沈积及凹陷蚀刻制程之前，先在深沟渠内的第二多 |
| 22 | TW200511477 | 改良之通道接触点形成方法 | 2005.03.16 | 揭示一种通道接触点形成方法系包含步骤有提供一基底；于基底上形成一第一介电层；于第一介电层中形成位元线 |
| 23 | TW200512758 | 半导体记忆装置之测试驱动方法 | 2005.04.01 | 一种半导体记忆装置之测试驱动方法，系于进入测试模式后，选取受一驱动线控制之复数条字元线；其次，测试单 |
| 24 | TW200512888 | 预防动态随机存取记忆体备份复熔丝侧壁伤害之方法 | 2005.04.01 | 本发明提供一种保护金属复熔丝(fuse)之方法。先提供一基材，此基材包含复数个元件与复数个复熔丝，同 |
| 25 | TW200512815 | 闸极导体之制造方法 | 2005.04.01 | 一种闸极导体之制造方法，系于矽基底上依序沉积多晶矽层、金属矽化物层及上盖层，并定义由贯穿上盖层、金属 |
| 26 | TW200515494 | 半导体元件的闸极结构之制造方法 | 2005.05.01 | 本发明系提供一使用于半导体元件中的堆叠式闸极结构之制造方法，其步骤包括陆续于半导体基板上形成一介电层 |
| 27 | TW200516683 | 一种晶圆可接受度测试方法及相关测试键结构 | 2005.05.16 | 本发明乃关于一种晶圆可接受度测试方法，用以监测闸极导体-深沟渠电容对不准，包含有下列步骤；提供一测试 |
| 28 | TW200534420 | 半导体装置之测试结构及其制造方法 | 2005.10.16 | 一种半导体装置之测试结构，包含一基材、复数个沟渠式电容形成于基材内，每一沟渠式电容包含一第一电极及一 |
| 29 | TWI248161 | 形成深沟渠储存装置顶端的螺栓形导体层之方法 | 2006.01.21 | 本发明揭露一种形成深沟渠储存装置顶端的螺栓形导体层之方法。本方法之步骤包含提供一半导体基材。形成一垫 |
| 30 | TWI248115 | 具有多层硬式罩幕之半导体装置及使用多层硬式罩幕之接触窗蚀刻制程 | 2006.01.21 | 本发明揭示一种使用多层硬式罩幕形成接触窗之方法。首先，提供一基底，其具有一元件区及一对准区，其中对准 |
| 31 | TW200625546 | 一种沟渠绝缘制程 | 2006.07.16 | 本发明提供一种沟渠绝缘制程，包含有下列步骤：首先提供一半导体基材，其上形成有衬垫层；接着于该衬垫层上 |
| 32 | TWI277173 | 位元线接触孔/接触结构形成方法 | 2007.03.21 | 揭示一种位元线接触结构形成方法。本发明之方法包含步骤有提供一基底；于基底上形成复数个字元线结构；于其 |
| 33 | TWI283909 | 位元线制程 | 2007.07.11 | 本发明提供了一种位元线制程，其步骤包括：提供一半导体基底，其上设置有复数个电晶体；于该半导体基底上依 |
| 34 | TW200728961 | 散热器 | 2007.08.01 | 一种散热器，用于散热一全缓冲双列直插式记忆体模组，包括一第一散热片、一第二散热片、以及至少一固定夹。 |
| 35 | TW200843899 | 研浆承载装置 | 2008.11.16 | 一种研浆承载装置，其包括承载室、搅拌部件以及多个电磁线圈。搅拌部件配置于承载室中。搅拌部件包括磁性旋 |
| 36 | TW200849590 | 半导体结构及其形成方法 | 2008.12.16 | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法。其方法包含：提供一基底基板、形成具有一开口之一硬遮罩层在基底基 |
| 37 | TW200921857 | 半导体装置的形成方法 | 2009.05.16 | 本发明提供一种形成半导体装置之方法，其包含提供一基板；形成一图案化堆叠于基板上，该图案化堆叠包含一第 |
| 38 | TWI320217 | 形成位元线接触窗之方法 | 2010.02.01 | 一种形成位元线接触窗之方法，至少包括下列步骤：提供一基底，该基底具有复数个闸极；形成一间隙壁于该些闸 |
| 39 | 位元线接触插塞的制造方法 | 2011.02.01 | ||
| 40 | 沟渠式半导体装置之制造方法 | 2011.04.11 | ||
| 41 | CN103903978B | 蚀刻方法 | 2016.12.28 | 本发明提供一种蚀刻方法，包括下列步骤：提供一基板；形成一绝缘层于该基板上；形成一图案化罩幕层于该绝缘 |
| 42 | CN106158002A | DRAM模块、DRAM字元线电压控制电路及控制方法 | 2016.11.23 | 本发明公开了一种DRAM模块、DRAM字元线电压控制电路及控制方法，该动态随机存取存储器(DRAM) |
| 43 | TW392293 | 具平坦表面之局部矽氧化隔离物的制造方法 | 2000.06.01 | 本发明提供一种具平坦表面之局部矽氧化(LOCOS)隔离物的制造方法，包括下列步骤:(a)在矽基底之主 |
| 44 | TW507371 | 多重快闪记忆胞结构及其制造方法 | 2002.10.21 | 本发明揭示一种多重快闪记忆胞结构及其制造方法，该多重快闪记忆胞结构包括有一半导体基底，该基底上具有一 |
| 45 | TW200422782 | 曝光系统及方法 | 2004.11.01 | 一种曝光系统，包括一补偿单元与一曝光装置。补偿单元接收相应至少一种机台参数之调整值，依据调整值与对应 |
| 46 | TW310469 | 半导体制程中同时完成导体层与元件之接触插塞之制造方法 | 1997.07.11 | 本案系为一种半导体制程中同时完成一导线层与一元件之接触插塞（contact plug）之制造方法，其 |
| 47 | TW460877 | 感测放大器之时脉控制方式与电路 | 2001.10.21 | 一种感测放大器之时脉控制方式与电路，主要系于半导体记忆元件中之感测放大器与记忆元件之间，藉由设置一具 |
| 48 | TW473909 | 在半导体晶圆中形成深沟渠之方法 | 2002.01.21 | 一种在半导体晶圆中形成深沟渠之方法，主要于半导体基底土九形成一介电层作为遮蔽层，然后于形成深沟渠前， |
| 49 | TW200423308 | 形成垂直式电晶体以及沟槽式电容的方法 | 2004.11.01 | 一种形成垂直式电晶体以及沟槽式电容的方法，其步骤包括：提供形成有一沟槽以及一垫层结构于表面的一半导体 |
| 50 | TW412837 | 凹槽电容制造方法 | 2000.11.21 | 本发明系有关于一种凹槽电容之制造方法，特别是可用以加大凹槽电容之凹槽面积，其步骤包括:提供一半导体基 |
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